參數(shù)資料
型號： IPB09N03LAG
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢2 Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS㈢2功率晶體管
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大小： 285K
代理商： IPB09N03LAG
IPB09N03LA G
Parameter
Symbol Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Dynamic characteristics
Input capacitance
C
iss
-
1235
1642
pF
Output capacitance
C
oss
-
474
630
Reverse transfer capacitance
C
rss
-
61
92
Turn-on delay time
t
d(on)
-
8.9
13
ns
Rise time
t
r
-
73
109
Turn-off delay time
t
d(off)
-
22
33
Fall time
t
f
-
3.2
4.8
Gate Charge Characteristics
6)
Gate to source charge
Q
gs
-
4.3
5.7
nC
Gate charge at threshold
Q
g(th)
-
2.0
2.6
Gate to drain charge
Q
gd
-
2.8
4.3
Switching charge
Q
sw
-
5.2
7.3
Gate charge total
Q
g
-
10
13
Gate plateau voltage
V
plateau
-
3.5
-
V
Gate charge total, sync. FET
Q
g(sync)
V
DS
=0.1 V,
V
GS
=0 to 5 V
-
8.7
12
nC
Output charge
Q
oss
V
DD
=15 V,
V
GS
=0 V
-
10
14
Reverse Diode
Diode continous forward current
I
S
-
-
50
A
Diode pulse current
I
S,pulse
-
-
350
Diode forward voltage
V
SD
V
GS
=0 V,
I
F
=50 A,
T
j
=25 °C
-
0.99
1.2
V
Reverse recovery charge
Q
rr
V
R
=15 V,
I
F
=
I
S
,
d
i
F
/d
t
=400 A/μs
-
-
10
nC
6)
See figure 16 for gate charge parameter definition
T
C
=25 °C
Values
V
GS
=0 V,
V
DS
=15 V,
f
=1 MHz
V
DD
=15 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=25 A,
R
G
=2.7
V
DD
=15 V,
I
D
=25 A,
V
GS
=0 to 5 V
Rev. 1.6
page 3
2006-05-11
相關PDF資料
PDF描述
IPB09N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor
IPI09N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor
IPP09N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor
IPB100N04S2-04 OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB100N04S2L-03 OptiMOS㈢ Power-Transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IPB09N03LAGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB09N03LAT 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IPB1 制造商:Eaton Corporation 功能描述:FD BARRIER 制造商:Omron Corporation 功能描述:
IPB10 制造商:Omron Corporation 功能描述:
IPB100N04S204 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*