<td id="91r4r"></td>

  • 參數(shù)資料
    型號: IPD12N03LBG
    廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
    英文描述: OptiMOS㈢2 Power-Transistor
    中文描述: 的OptiMOS㈢2功率晶體管
    文件頁數(shù): 4/12頁
    文件大?。?/td> 427K
    代理商: IPD12N03LBG
    IPD12N03LB G IPS12N03LB G
    IPU12N03LB G IPF12N03LB G
    1 Power dissipation
    2 Drain current
    P
    tot
    =f(
    T
    C
    )
    I
    D
    =f(
    T
    C
    );
    V
    GS
    10 V
    3 Safe operating area
    4 Max. transient thermal impedance
    I
    D
    =f(
    V
    DS
    );
    T
    C
    =25 °C;
    D
    =0
    Z
    thJC
    =f(
    t
    p
    )
    parameter:
    t
    p
    parameter:
    D
    =
    t
    p
    /
    T
    1 μs
    10 μs
    100 μs
    1 ms
    10 ms
    DC
    1
    10
    100
    1000
    0.1
    1
    10
    100
    V
    DS
    [V]
    I
    D
    limited by on-state
    resistance
    single pulse
    0.01
    0.02
    0.05
    0.1
    0.2
    0.5
    10
    -6
    10
    -5
    10
    -4
    10
    -3
    t
    p
    [s]
    10
    -2
    10
    -1
    10
    0
    0.001
    0.01
    0.1
    1
    10
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    1
    Z
    t
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    60
    0
    50
    100
    150
    200
    T
    C
    [°C]
    P
    t
    0
    10
    20
    30
    40
    0
    50
    100
    150
    200
    T
    C
    [°C]
    I
    D
    Rev. 1.5
    page 4
    2006-05-15
    相關(guān)PDF資料
    PDF描述
    IPF12N03LBG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
    IPD12N03L OptiMOS Buck converter series
    IPU12N03L DDM43W2S
    IPD144N06NG OptiMOS㈢ Power-Transistor
    IPD14N03L MULTI DVI RECEIVER - FIBER
    相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
    參數(shù)描述
    IPD12N03LBGXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-252
    IPD135N03L G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A 13.5mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
    IPD135N03LG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
    IPD135N03LG_10 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS3 Power-Transistor
    IPD135N03LGATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 30A 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3