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參數(shù)資料
| 型號： | IPD12N03LBG |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢2功率晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 9/12頁 |
| 文件大小： | 427K |
| 代理商： | IPD12N03LBG |
IPD12N03LB G IPS12N03LB G
IPU12N03LB G IPF12N03LB G
Package Outline
PG-TO252-3-23
PG-TO252-3-23: Outline
Footprint:
Rev. 1.5
page 9
2006-05-15
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPF12N03LBG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPD12N03L | OptiMOS Buck converter series |
| IPU12N03L | DDM43W2S |
| IPD144N06NG | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPD14N03L | MULTI DVI RECEIVER - FIBER |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IPD12N03LBGXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-252 |
| IPD135N03L G | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A 13.5mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IPD135N03LG | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IPD135N03LG_10 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS3 Power-Transistor |
| IPD135N03LGATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 30A 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 |
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