參數(shù)資料
型號： IPD60R385CP
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： CoolMOS Power Transistor
中文描述： 的CoolMOS功率晶體管
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大小： 360K
代理商： IPD60R385CP
IPD60R385CP
9 Typ. gate charge
10 Forward characteristics of reverse diode
V
GS
=f(
Q
gate
);
I
D
=5.2 A pulsed
I
F
=f(
V
SD
)
parameter:
V
DD
parameter:
T
j
11 Avalanche energy
12 Drain-source breakdown voltage
E
AS
=f(
T
j
);
I
D
=3.4 A;
V
DD
=50 V
V
BR(DSS)
=f(
T
j
);
I
D
=0.25 mA
25 °C
150 °C
25 °C, 98%
150 °C, 98%
10
2
10
1
10
0
10
-1
0
0.5
1
1.5
2
V
SD
[V]
I
F
120 V
400 V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
5
10
15
20
Q
gate
[nC]
V
G
540
580
620
660
700
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
B
0
50
100
150
200
250
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
E
A
Rev. 2.0
page 6
2006-04-04
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPD640N06LG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPD64CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD800N06NG OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPDH5N03LA OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPDH5N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
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參數(shù)描述
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IPD60R385CPATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:COOL MOS - Tape and Reel
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IPD60R385CPT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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