參數(shù)資料
型號： IRF1312L
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 7/11頁
文件大?。?/td> 226K
代理商： IRF1312L
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
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Fig 14.
For N-channel
HEXFET
power MOSFETs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF1312S HEXFET Power MOSFET
IRF1312STRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 95A I(D) | TO-263AB
IRF1404L Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A)
IRF1404S Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A)
IRF1404 Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF1312LPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRF1312PBF 功能描述:MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 93nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF1312S 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRF1312SHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 80V 95A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 80V 95A 3PIN D2PAK - Rail/Tube
IRF1312SPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
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