參數(shù)資料
型號(hào): IRF1312STRR
廠商: International Rectifier
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 95A I(D) | TO-263AB
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 80V的五(巴西)直| 95A章一(d)|對(duì)263AB
文件頁(yè)數(shù): 10/11頁(yè)
文件大小: 226K
代理商: IRF1312STRR
10
www.irf.com
TO-262 Part Marking Information
TO-262 Package Outline
EXAMPLE: THIS IS AN IRL3103L
LOT CODE 1789
ASSEMBLED ON WW 19, 1997
IN THE ASSEMBLY LINE "C"
ASSEMBLY
LOT CODE
PART NUMBER
DATE CODE
YEAR 7 = 1997
WEEK 19
LINE C
LOGO
RECTIFIER
INTERNATIONAL
IGBT
1- GATE
2- COLLECTOR
3- EMITTER
4- COLLECTOR
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF1404L Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A)
IRF1404S Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A)
IRF1404 Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A)
IRF1405L Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.3mohm, Id=131A)
IRF1405S Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.3mohm, Id=131A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF131R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-204AA
IRF132 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF1324LPBF 功能描述:MOSFET 24V 1 N-CH HEXFET 1.65mOhms 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF1324PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 24V 353A 1.5mOhm 160nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF1324S-7PPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 24V 340A 1.65mOhm 160nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube