參數(shù)資料
型號： IRF1404S
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 40V的，的Rds（on）\u003d 0.004ohm，身份證\u003d 162A章）
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大小： 306K
代理商： IRF1404S
IRF1404S/L
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
C
V
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
40
80
120
160
200
240
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
I =
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
13
95A
V
= 20V
DS
V
= 32V
DS
1
10
100
1000
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 175 C
°
1
10
100
1000
D
10000
1
10
100
BY R
DS(on)
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
Single Pulse
T
T
= 175 °
= 25 C
°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
10us
100us
1ms
10ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF1404 Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A)
IRF1405L Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.3mohm, Id=131A)
IRF1405S Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.3mohm, Id=131A)
IRF1405PBF AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1405ZL-7PPBF HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 4.9mヘ , ID = 120A )
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參數(shù)描述
IRF1404SPBF 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF1404STRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF1404STRR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF1404STRRPBF 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF1404Z 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET
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