參數(shù)資料
型號： IRF520
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
中文描述： 9.2 A, 100 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大小： 185K
代理商： IRF520
IRF520NS/L
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
1
10
100
0.1
1
10
100
I
D
V , Drain-to-Source Voltage (V)
VGS
20μs PULSE W IDTH
T = 25°C
A
4.5V
1
10
100
0.1
1
10
100
4.5V
I
D
VDS
VGS
20μs PULSE W IDTH
T = 175°C
A
1
10
100
4
5
6
7
8
9
10
T = 25°C
J
V , Gate-to-Source Voltage (V)
D
I
V = 50V
20μs PULSE W IDTH
T = 175°C
J
A
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
R
D
(
V = 10V
A
I = 9.5A
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF520 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS POWER FETs
IRF520N Power MOSFET(Vdss = 100 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 9.7A)
IRF520PBF HEXFET Power MOSFET
IRF520VPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF520V Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A)
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參數(shù)描述
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