- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377503 > IRF520VL (International Rectifier) Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRF520VL |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 100V的，的Rds（on）\u003d 0.165ohm，身份證\u003d 9.6A） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 185K |
| 代理商： | IRF520VL |
IRF520NS/L
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
10V
+
-
V
DD
25
50
75
100
125
150
175
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
T , Case Temperature
(°
I
D
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T =P
t / t
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF520VS | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A) |
| IRF520 | N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V |
| IRF520 | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS POWER FETs |
| IRF520N | Power MOSFET(Vdss = 100 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 9.7A) |
| IRF520PBF | HEXFET Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF520VLPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF520VPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 100V 9.6A TO-220 |
| IRF520VS | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A) |
| IRF520VSPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D2-PAK 100V 9.6A |
| IRF520VSTRL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.6A I(D) | TO-263AB |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。