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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRF520VL |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 100V的，的Rds（on）\u003d 0.165ohm，身份證\u003d 9.6A） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 185K |
| 代理商： | IRF520VL |
IRF520NS/L
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
0
40
80
120
160
200
25
50
75
100
125
150
175
E
A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
V = 25V
I
TOP 2.3A
4.0A
BOTTOM 5.7A
D
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF520VS | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A) |
| IRF520 | N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V |
| IRF520 | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS POWER FETs |
| IRF520N | Power MOSFET(Vdss = 100 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 9.7A) |
| IRF520PBF | HEXFET Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF520VLPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF520VPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 100V 9.6A TO-220 |
| IRF520VS | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A) |
| IRF520VSPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D2-PAK 100V 9.6A |
| IRF520VSTRL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.6A I(D) | TO-263AB |
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