參數(shù)資料
型號(hào)： IRF5210L
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d- 100V的，的Rds（on）\u003d 0.06ohm，身份證\u003d- 40A條）
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
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代理商： IRF5210L
IRF5210S/L
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
-10V
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
IAS
0.01
t
p
D .U.T
L
V
DS
VD D
DR IVER
A
15V
-20V
0
400
800
1200
1600
2000
25
50
75
100
125
150
175
E
A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
I
TOP -8.6A
-15A
BOTTOM -21A
D
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PDF描述
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IRF5305 Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A)
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IRF5210PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
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