參數(shù)資料
型號: IRF5305PBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù): 4/8頁
文件大小: 179K
代理商: IRF5305PBF
IRF5305PbF
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
500
1000
1500
2000
2500
1
10
100
C
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
0
4
8
12
16
20
0
10
20
30
40
50
60
Q , Total Gate Charge (nC)
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
V = -44V
V = -28V
I = -16A
G
-
10
100
1000
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
T = 25°C
V = 0V
S
A
-
-V , Source-to-Drain Voltage (V)
T = 175°C
1
10
100
1000
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
100μs
1ms
10ms
A
T = 25°C
T = 175°C
Single Pulse
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
-
相關PDF資料
PDF描述
IRF5305 Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A)
IRF530L Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.11ohm, Id=17A)
IRF530FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
IRF530 N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF530 N-Channel Power MOSFETs Avalanche Energy Rated
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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