參數(shù)資料
型號(hào)： IRF530NS
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.11ohm, Id=17A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 100V的，的Rds（on）\u003d0.11Ω的，身份證\u003d 17A條）
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
文件大小： 178K
代理商： IRF530NS
IRF530NS/L
www.irf.com
3
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
1
10
100
0.1
1
10
100
I
D
VDS
VGS
20μs PULSE WIDTH
T = 25°C
A
4.5V
1
10
100
0.1
1
10
100
4.5V
I
D
VDS
VGS
A
20μs PULSE W IDTH
T = 175°C
1
10
100
4
5
6
7
8
9
10
T = 25°C
J
V , Gate-to-Source Voltage (V)
D
I
V = 50V
20μs PULSE W IDTH
T = 175°C
A
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
R
D
(
V = 10V
A
I = 15A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF530 N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V
IRF530 N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE
IRF530NLPBF HEXFET Power MOSFET
IRF530NSPBF HEXFET Power MOSFET
IRF530N Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=90mohm, Id=17A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF530NSHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRF530NSPBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 90mOhms 24.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF530NSTRL 制造商:International Rectifier 功能描述:
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IRF530NSTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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