參數(shù)資料
型號(hào): IRF530NS
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.11ohm, Id=17A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 100V的,的Rds(on)\u003d0.11Ω的,身份證\u003d 17A條)
文件頁(yè)數(shù): 6/10頁(yè)
文件大?。?/td> 178K
代理商: IRF530NS
IRF530NS/L
6
www.irf.com
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
V
DS
L
D.U.T.
V
DD
I
AS
t
p
0.01
R
G
+
-
t
p
V
DS
I
AS
V
DD
V
(BR)DSS
10 V
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
10 V
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
0
50
100
150
200
250
300
350
25
50
75
100
125
150
175
E
A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
V = 25V
I
TOP 3.7A
6.4A
BOTTOM 9.0A
D
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF530 N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V
IRF530 N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE
IRF530NLPBF HEXFET Power MOSFET
IRF530NSPBF HEXFET Power MOSFET
IRF530N Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=90mohm, Id=17A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF530NSHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRF530NSPBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 90mOhms 24.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF530NSTRL 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRF530NSTRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRF530NSTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube