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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRF540FI |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO-220/TO-220FI POWER MOSFET |
| 中文描述： | ? - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A條- TO-220/TO-220FI的功率MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/9頁(yè) |
| 文件大小： | 86K |
| 代理商： | IRF540FI |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
IRF540, IRF540S
Fig.13. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.14. Maximum permissible non-repetitive
avalanche current (I
) versus avalanche time (t
AV
);
unclamped inductive load
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
Source-Drain Voltage, VSDS (V)
1
1.1 1.2 1.3 1.4 1.5
Source-Drain Diode Current, IF (A)
Tj = 25 C
175 C
VGS = 0 V
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
Avalanche time, t
AV
(ms)
Maximum Avalanche Current, I
AS
(A)
Tj prior to avalanche = 150 C
25 C
August 1999
6
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF540 | N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO-220/TO-220FI POWER MOSFET |
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參數(shù)描述 |
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