參數(shù)資料
型號： IRF630
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
中文描述： 9 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁數(shù)： 3/9頁
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代理商： IRF630
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
IRF630, IRF630S
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
I
S
Continuous source current
(body diode)
I
SM
Pulsed source current (body
diode)
V
SD
Diode forward voltage
t
rr
Reverse recovery time
Q
rr
Reverse recovery charge
CONDITIONS
MIN.
-
TYP. MAX. UNIT
-
9
A
-
-
36
A
I
F
= 9 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 9 A; -dI
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= -10 V; V
R
= 25 V
-
-
-
0.85
92
0.5
1.2
-
-
V
ns
μ
C
August 1999
3
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF630 Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9.0A)
IRF630 N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V
IRF640FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220VAR
IRF640ST4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-263AB
IRF640STRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF630 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-220
IRF630 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N 200V 9A TO-220 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET, N, 200V, 9A, TO-220 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET, N, 200V, 9A, TO-220, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:9A, Drain Source Voltage Vds:200V, On Resistance Rds(on):400mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Power Dissipation , RoHS Compliant: Yes
IRF630_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 200V - 0.35ヘ - 9A TO-220/TO-220FP Mesh overlay⑩ II Power MOSFET
IRF630_R4941 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF630A 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
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