參數(shù)資料
型號(hào)： IRF634N
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 8 A, 250 V, 0.435 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁(yè)數(shù)： 6/11頁(yè)
文件大?。?/td> 301K
代理商： IRF634N
IRF634N/S/L
4
www.irf.com
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
,Source-to-Drain Voltage (V)
I
,
Reverse
Drain
Current
(A)
SD
V
= 0 V
GS
T = 25 C
J
°
T = 175 C
J
°
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0
200
400
600
800
1000
1200
C,
Capacitance(pF)
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V,
f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds
SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds+ Cgd
0
10
20
30
40
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
,
Gate-to-Source
Voltage
(V)
G
GS
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
D
13
4.8A
V
= 50V
DS
V
= 125V
DS
V
= 200V
DS
1
10
100
1000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
I D
,
Drain-to-Source
Current
(A)
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100sec
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PDF描述
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IRF644NSTRRPBF 14 A, 250 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRF644PBF 14 A, 250 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF644S 14 A, 250 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
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