參數(shù)資料
型號： IRF634N
元件分類： JFETs
英文描述： 8 A, 250 V, 0.435 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁數(shù)： 9/11頁
文件大?。?/td> 301K
代理商： IRF634N
IRF634N/S/L
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤ 5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
VGS=10V
VDD
ISD
Driver Gate Drive
D.U.T. ISD Waveform
D.U.T. VDS Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
-
Fig 14. For N-Channel HEXFET Power MOSFETs
* VGS = 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
RG
VDD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
相關PDF資料
PDF描述
IRF644NPBF 14 A, 250 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF644NSTRLPBF 14 A, 250 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRF644NSTRRPBF 14 A, 250 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRF644PBF 14 A, 250 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF644S 14 A, 250 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRF634NPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF634NS 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF634NSPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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