參數(shù)資料
型號(hào)： IRF634N
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.435ohm, Id=8.0A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 250V，的Rds（on）\u003d 0.435ohm，身份證\u003d 8.0A）
文件頁(yè)數(shù)： 3/11頁(yè)
文件大?。?/td> 301K
代理商： IRF634N
IRF634N/S/L
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
T = 25 C
20μs PULSE WIDTH
°
TOP
BOTTOM
VGS
15V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.5V
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
T = 175 C
20μs PULSE WIDTH
°
TOP
BOTTOM
VGS
5.5V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.5V
0.1
1
10
100
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
20μs PULSE WIDTH
V = 50V
DS
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T = 25 C
T = 175 C
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
T , Junction Temperature ( C)
R
(
D
I
V
=
=
GS
D
10V
7.9A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF634NL Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.435ohm, Id=8.0A)
IRF634NS Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.435ohm, Id=8.0A)
IRF634NSTRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-263AB
IRF634NSTRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-263AB
IRF634PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
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