參數(shù)資料
型號： IRF7101
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 211K
代理商： IRF7101
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
0.1
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.01
0.1
1
10
100
1000
ID
2.25V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
2.25V
TOP
BOTTOM
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
0
1
10
100
1000
ID
(
)
TJ = 25°C
TJ = 150°C
VDS = 15V
20μs PULSE WIDTH
0.1
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
2.25V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
2.25V
TOP
BOTTOM
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
TJ, Junction Temperature (°C )
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
RD
ID = 16A
VGS = 4.5V
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PDF描述
IRF7832 HEXFET Power MOSFET
IRF7103QPBF AUTOMOTIVE MOSFET HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7103Q Power MOSFET(Vdss=50V)
IRF7103QTR TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 3A I(D) | SO
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