參數(shù)資料
型號： IRF7101
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 211K
代理商： IRF7101
www.irf.com
7
Fig 18.
for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Reverse
Recovery
Body Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
!"!!
!"!!%"
#$$
Fig 19.
Gate Charge Waveform
Vds
Vgs
Id
Vgs(th)
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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IRF7101TR 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRF7101TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 8-Pin SOIC T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 3.5A 8SOIC - Tape and Reel
IRF7101TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 3.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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