參數(shù)資料
型號: IRF7317PBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述: ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù): 3/10頁
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代理商: IRF7317PBF
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1
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20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
TOP
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VGS
4.50V
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V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
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1
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V ,Source-to-Drain Voltage (V)
0.8
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I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 150 C
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1
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100
0.1
1
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20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
7.50V
2.70V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
1.50V
1
10
100
1.5
2.0
2.5
3.0
VDS
20μs PULSE WIDTH
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T = 25 C
°
T = 150 C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7319PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IRF7317TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 20V 6.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7319 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET DUAL NP LOGIC SO-8
IRF7319HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC
IRF7319PBF 功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 58mOhms 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube