參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7402PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 192K
代理商： IRF7402PBF
IRF7402PbF
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 3.8A, V
GS
= 0V
e
T
J
= 25°C, I
F
= 3.8A
di/dt = 100A/μs
e
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
c
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
51
69
1.2
77
100
V
ns
nC
Source-Drain Ratings and Characteristics
–––
–––
–––
–––
54
2.5
A
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
20
–––
––– 0.024 –––
–––
0.035
–––
0.050
0.70
–––
6.1
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
14
–––
2.0
–––
6.3
–––
5.1
–––
47
–––
24
–––
32
–––
650
–––
300
–––
150
Conditions
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 4.5V, I
D
= 4.1A
e
V
GS
= 2.7V, I
D
= 3.5A
e
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 10V, I
D
= 1.9A
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 12V
V
GS
= -12V
I
D
= 3.8A
V
DS
= 16V
V
GS
= 4.5V, See Fig. 6 and 12
e
V
DD
= 10V
I
D
= 3.8A
R
G
= 6.2
R
D
= 2.6
e
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V/°C
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
–––
–––
1.0
25
100
-100
22
3.0
9.5
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
V
S
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
pF
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
μA
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
nA
ns
Notes:
c
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. (See fig. 11)
e
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
d
I
SD
≤
3.8A, di/dt
≤
96A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
150°C
f
When mounted on 1 inch square copper board, t<10 sec
g
This data sheet has curves & data from IRF7601
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7404QPBF HEXFET Power MOSFET ( VDSS = -20V , RDS(on) = 0.040ヘ )
IRF7406PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRF740ASPBF SMPS MOSFET
IRF740LPBF SMPS MOSFET
IRF740LCPBF HEXFET-R POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRF7402TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 6.8A 35mOhm 14nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7403 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7403_04 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRF7403HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC - Rail/Tube
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