參數(shù)資料
型號： IRF7406PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大小： 247K
代理商： IRF7406PBF
www.irf.com
3
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
D
A
-
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
VGS
-4.5V
20μs PULSE WIDTH
T = 25°C
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
D
20μs PULSE WIDTH
T = 150°C
A
-
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
VGS
-4.5V
10
100
1000
4
5
6
7
8
9
10
T = 25°C
T = 150°C
D
A
-
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
V = -15V
20μs PULSE WIDTH
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100 120
140 160
R
D
(
A
V = -10V
I = -4.7A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF740ASPBF SMPS MOSFET
IRF740LPBF SMPS MOSFET
IRF740LCPBF HEXFET-R POWER MOSFET
IRF740PBF HEXFET POWER MOSFET
IRF740 N - CHANNEL 400V - 0.48 ohm - 10 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7406TR 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P-CHANNEL, -30V, -5.8A, 45 mOhm, 39.3 nC Qg, SO-8
IRF7406TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC T/R
IRF7406TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -30V -5.8A 45mOhm 39.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF740A 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF740A_R4944 功能描述:MOSFET 400V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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