參數(shù)資料
型號： IRF7406PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 247K
代理商： IRF7406PBF
www.irf.com
5
+
-
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
≤ 1
≤ 0.1 %
!"#
!"
#%
&'
.
.
J
!"('*+#%
0.1
0.0001
1
10
100
0.001
0.01
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.1
1
10
100
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T =P
t / t
x Z
+ T
2
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
T , Case Temperature
75
100
125
(°
150
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
-
D
相關PDF資料
PDF描述
IRF740ASPBF SMPS MOSFET
IRF740LPBF SMPS MOSFET
IRF740LCPBF HEXFET-R POWER MOSFET
IRF740PBF HEXFET POWER MOSFET
IRF740 N - CHANNEL 400V - 0.48 ohm - 10 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7406TR 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P-CHANNEL, -30V, -5.8A, 45 mOhm, 39.3 nC Qg, SO-8
IRF7406TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC T/R
IRF7406TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -30V -5.8A 45mOhm 39.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF740A 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF740A_R4944 功能描述:MOSFET 400V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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