參數(shù)資料
型號： IRF7413QPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 268K
代理商： IRF7413QPBF
www.irf.com
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SD
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θ
)
/+,
Symbol
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Parameter
Min
30
–––
–––
–––
1.0
10
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
1.2
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ
–––
0.034
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
52
6.1
16
–––
8.6
50
52
46
1800
680
240
Max
–––
–––
0.011
0.018
3.0
–––
12
25
-100
100
79
9.2
23
3.7
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Units
V
V/°C
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
V
S
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Gate Resistance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
Symbol
Parameter
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Min.
Typ.
Max.
Units
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
74
200
1.0
110
300
V
ns
nC
nC
I
SM
–––
–––
58
I
S
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
μA
I
GSS
pF
3.1
–––
–––
A
= 1.0MHz, See Fig. 5
R
DS(on)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 10V, I
D
= 3.7A
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= -20V
V
GS
= 20V
nA
V
GS
= 4.5V, I
D
= 3.7A
Static Drain-to-Source On-Resistance
ns
V
GS
= 10V, I
D
= 7.3A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
I
D
= 7.3A
V
DS
= 24V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 9
Conditions
R
G
= 2.0
,
See Fig. 10
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
R
G
= 6.2
T
J
= 25°C, I
S
= 7.3A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 7.3A
di/dt = 100A/μs
Electrical Characteristics @ TJ = 25°C (unless otherwise specified)
Source-Drain Ratings and Characteristics
V
DD
= 15V
I
D
= 7.3A
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
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