參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7413ZPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： Control FET for Notebool Processor Power, Control and Synchronous Rectifier
中文描述： 控制場(chǎng)效應(yīng)管的Notebool處理器電源，控制和同步整流器
文件頁(yè)數(shù)： 7/10頁(yè)
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代理商： IRF7413ZPBF
www.irf.com
7
Fig 15.
for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Reverse
Body Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
!"!!
!"!!%"
#$$
Fig 16.
Gate Charge Waveform
Vds
Vgs
Id
Vgs(th)
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7416 P-Channel HEXFET Power MOSFET(P溝道 HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRF7422D2PBF FETKY⑩MOSFET &Schottky Diode
IRF7422D2 Co-packaged HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode(同封裝 HEXFET晶體管和肖特基二極管)
IRF7424PBF HEXFET Power MOSFET
irf7424 Ultra Low On-Resistance
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7413ZTR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7413ZTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 13A 10mOhm 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7413ZUPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFT Power MOSFET
IRF7416 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P LOGIC SO-8
IRF7416GTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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