參數(shù)資料
型號： IRF7421D1PBF
廠商： International Rectifier
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 232K
代理商： IRF7421D1PBF
IRF7421D1PbF
6
www.irf.com
Schottky Diode Characteristics
Fig. 13
- Typical Values of Reverse
Current Vs. Reverse Voltage
Fig.14
- Typical Junction Capacitance Vs.
Reverse Voltage
*
5
Fig. 12
-Typical Forward Voltage Drop Characteris-
tics
0.1
1
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
F
I
Forward Voltage Drop - V (V)
T = 150°C
T = 125°C
T = 25°C
10
100
1000
0
10
20
30
T = 25°C
Reverse Voltage - V (V)
T
J
A
相關PDF資料
PDF描述
IRF7433PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7451 Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.09ohm, Id=3.6A)
IRF7452QPBF HEXFET Power MOSFET
IRF7452 Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.060ohm, Id=4.5A)
IRF7453PBF HEXFET㈢Power MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7421D1TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7421D1TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT w/Schttky 30V 5.8A 35mOhm 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7422D2 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P FETKY SO-8
IRF7422D2HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 20V 4.3A 8SOIC - Rail/Tube
IRF7422D2PBF 功能描述:MOSFET 20V FETKY 12 VGS 140 RDS 2.7VmOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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