參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7433PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大?。?/td> 175K
代理商： IRF7433PBF
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= -2.5A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= -2.5A
di/dt = -100A/μs
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
36
28
-1.2
54
42
V
ns
nC
Source-Drain Ratings and Characteristics
-36
-2.5
A
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
Pulse width
≤
400μs duty cycle
≤
2%
When mounted on 1 inch square copper board, t < 10 sec.
S
D
G
Min. Typ. Max. Units
-12
–––
––– 0.007 –––
–––
–––
–––
–––
-0.4
–––
22
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
20
–––
4.5
–––
4.0
–––
8.8
–––
8.2
–––
272
–––
175
––– 1877 –––
–––
512
–––
310
Conditions
–––
V
V
GS
= 0V, I
D
= -250μA
Reference to 25°C, I
D
= -1mA
V
GS
= -4.5V, I
D
= -8.7A
V
GS
= -2.5V, I
D
= -7.4A
V
GS
= -1.8V, I
D
= -6.3A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
DS
= -10V, I
D
= -8.7A
V
DS
= -9.6V, V
GS
= 0V
V
DS
= -9.6V, V
GS
= 0V, T
J
= 70°C
V
GS
= -8V
V
GS
= 8V
I
D
= -8.7A
V
DS
= -6V
V
GS
= -4.5V
V
DD
= -6V, V
GS
= -4.5V
I
D
= -1.0A
R
D
= 6
R
G
= 6
V
GS
= 0V
V
DS
= -10V
= 1.0MHz
V/°C
24
30
46
-0.9
–––
-1.0
-25
-100
100
–––
–––
–––
13
12
408
263
V
GS(th)
g
fs
I
DSS
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
V
S
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
–––
–––
pF
I
GSS
μA
m
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Drain-to-Source Leakage Current
nA
ns
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRF7433TR 功能描述:MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7433TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -12V -8.9A 24mOhm 20nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7434 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:
IRF743FI 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-220AB
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