參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7476PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 12V , RDS(on) max = 8.0mヘ@VGS = 4.5V , ID = 15A )
中文描述： HEXFET功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 12V的，的RDS（on）最大值@ VGS電壓\u003d 4.5V時(shí)，身份證\u003d 15A條\u003d 800萬ヘ）
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 172K
代理商： IRF7476PBF
IRF7476PbF
2
www.irf.com
Symbol
I
S
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 12A, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C, I
S
= 12A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 12A, V
R
=12V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 125°C, I
F
= 12A, V
R
=12V
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.87
0.73
55
59
54
60
1.2
–––
82
89
81
90
V
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
ns
nC
ns
nC
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
g
fs
Forward Transconductance
Q
g
Total Gate Charge
Q
gs
Gate-to-Source Charge
Q
gd
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Q
oss
Output Gate Charge
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
C
iss
Input Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
ns
Symbol
E
AS
I
AR
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
160
12
Units
mJ
A
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Avalanche Characteristics
S
D
G
Diode Characteristics
2.5
120
Min. Typ. Max. Units
31
–––
–––
26 40 I
D
= 12A
–––
4.6
–––
–––
11
–––
–––
17
–––
–––
11
–––
–––
29
–––
–––
19
–––
–––
8.3
–––
–––
2550
–––
–––
2190
–––
–––
450
–––
Conditions
V
DS
= 6.0V, I
D
= 12A
–––
S
nC
V
DS
= 10V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V, V
DS
= 5.0V
V
DD
= 6.0V
I
D
= 12A
R
G
= 1.8
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V
V
DS
= 6.0V
= 1.0MHz
pF
V
SD
Diode Forward Voltage
Parameter
Min. Typ. Max. Units
12
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.014 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
–––
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
0.6
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
6.0
12
–––
–––
–––
–––
–––
8.0
30
1.9
100
250
200
-200
V
GS
= 4.5V, I
D
= 15A
V
GS
= 2.8V, I
D
= 12A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 9.6V, V
GS
= 0V
V
DS
= 9.6V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 12V
V
GS
= -12V
V
μA
nA
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
m
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PDF描述
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IRF7477HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC - Rail/Tube
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