參數(shù)資料
型號: IRF7503PBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述: ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù): 1/8頁
文件大?。?/td> 1019K
代理商: IRF7503PBF
www.irf.com
1
IRF7503PbF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7521D1 FETKY⑩ MOSFET / Schottky Diode(Vdss=20V, Rds(on)=0.135ohm, Schottky Vf=0.39V)
IRF7524D1 Co-packaged HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode(同封裝 HEXFET晶體管和肖特基二極管)
IRF7534D1 Co-packaged HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode(同封裝 HEXFET晶體管和肖特基二極管)
IRF7555 HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率 MOS場效應(yīng)管)
IRF7726 Power MOSFET(Vdss=-30V)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7503TR 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:HEXFET® 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道(雙) FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF7503TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 2.4A Micro 8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7503TRPBF-EL 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRF7504 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=-20V, Rds(on)=0.27ohm)
IRF7504PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 20V 1.7A 8PIN MICRO8 - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:DUAL P MOSFET, -20V, -1.7A, MICRO8, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Dr