參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7555
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率 MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 6/7頁(yè)
文件大?。?/td> 71K
代理商： IRF7555
IRF7555
6
www.irf.com
Package Outline
Micro8
Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
IN CH ES M ILLIMETERS
MIN M AX MIN MAX
A
0.10 (.004)
0.25 (.010) M A M
H
1 2 3 4
8 7 6 5
D
- B -
3
3
E
- A -
e
6X
e 1
- C -
B 8X
0.08 (.003) M C A S B S
A 1
L
8X
C
8X
θ
NOTES:
1 DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M-1982.
2 CONTROLLING DIMENSION : INCH.
3 DIMENSIONS DO NOT INCLUDE MOLD FLASH.
A .036 .044 0.91 1.11
A1 .004 .008 0.10 0.20
B .010 .014 0.25 0.36
C .005 .007 0.13 0.18
D .116 .120 2.95 3.05
e .0256 BASIC 0.65 BASIC
e1 .0128 BASIC 0.33 BASIC
E .116 .120 2.95 3.05
H .188 .198 4.78 5.03
L .016 .026 0.41 0.66
θ
0° 6° 0° 6°
D IM
LEAD ASSIGN MEN TS
SIN GLE
DU AL
D D D D
D1 D1 D 2 D 2
S S S G
S1 G 1 S2 G 2
1 2 3 4
1 2 3 4
8 7 6 5
8 7 6 5
R ECO MMEN DED FOOTPRINT
1.04
( .041 )
8X
0.38
3.20
( .126 )
4.24
( .167 )
5.28
( .208 )
0.65
Micro8
Part Marking Information
PART NUMBER
451
7501
TOP
EXAMPLE : THIS IS AN IRF7501
DATE CODE (YW W )
Y = LAST DIGIT OF YEAR
W W = W EEK
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7726 Power MOSFET(Vdss=-30V)
IRF7751 RES 8K-OHM 1% 0.125W 100PPM THICK-FILM SMD-0805 5K/REEL-7IN-PA
IRF7752 Dual N-Channel MOSFET(雙 N溝道 MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRF7754 Power MOSFET(Vdss=-12V)
IRF7755 -20V,P-Channel HEXFET Power MOSFET(-20V,P溝道 HEXFET功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRF7555PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET DUAL PP MICRO-8
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IRF7555TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 4.3A Micro 8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7601 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N MICRO-8
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