型號(hào): | IRFB23N20D |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.10ohm, Id=24A) |
中文描述: | 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 200V的電壓,的Rds(on)最大值\u003d 0.10ohm,身份證\u003d 24A條) |
文件頁(yè)數(shù): | 1/11頁(yè) |
文件大?。?/td> | 196K |
代理商: | IRFB23N20D |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRFS31N20DTRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB |
IRFB31N20 | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A) |
IRFS31N20DTRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB |
IRFB31N20D | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A) |
IRFS31N20D | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRFB23N20DHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
IRFB23N20DPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 24A 100mOhm 57nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFB260 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.040ohm, Id=56A) |
IRFB260N | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.040ohm, Id=56A) |
IRFB260NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 56A 40mOhm 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |