參數(shù)資料
型號： IRFB23N20D
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.10ohm, Id=24A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 200V的電壓，的Rds（on）最大值\u003d 0.10ohm，身份證\u003d 24A條）
文件頁數(shù)： 5/11頁
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代理商： IRFB23N20D
IRFB/IRFS/IRFSL23N20D
www.irf.com
5
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
10V
+
-
V
DD
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0.01
0.00001
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T =P
t / t
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
25
T , Case Temperature (°
I
D
相關PDF資料
PDF描述
IRFS31N20DTRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB
IRFB31N20 Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A)
IRFS31N20DTRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB
IRFB31N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A)
IRFS31N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A)
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參數(shù)描述
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IRFB260 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.040ohm, Id=56A)
IRFB260N 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.040ohm, Id=56A)
IRFB260NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 56A 40mOhm 150nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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