參數(shù)資料
型號： IRFB31N20
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 200V的電壓，的Rds（on）最大值\u003d 0.082ohm，身份證\u003d 31A條）
文件頁數(shù)： 10/11頁
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代理商： IRFB31N20
IRFB/IRFS/IRFSL31N20D
10
www.irf.com
TO-262 Part Marking Information
TO-262 Package Outline
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFS31N20DTRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB
IRFB31N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A)
IRFS31N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A)
IRFSL31N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A)
IRFS3207ZPbF HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFB31N20D 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-220 制造商:Distributed By MCM 功能描述:200V 31A 200W Gds Ir Hexfet TO-220Ab N-Ch
IRFB31N20DPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 31A 82mOhm 70nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB3206GPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB3206PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB3207 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
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