- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄360925 > IRFD213R TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 450MA I(D) | TO-250VAR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRFD213R |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 450MA I(D) | TO-250VAR |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 150伏五（巴西）直| 450MA（丁）|對250VAR |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 40K |
| 代理商： | IRFD213R |
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFD221R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 800MA I(D) | TO-250AA |
| IRFD223R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 700MA I(D) | TO-250VAR |
| IRFF132R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-205AF |
| IRFF133R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-205AF |
| IRFF211R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-205AF |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFD214 | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 0.45 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFD214PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 0.45 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFD220 | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 0.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFD220119 | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| IRFD220PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 0.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。