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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFD320 |
| 廠商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 0.5A, 400V, 1.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
| 中文描述： | 500 mA, 400 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/8頁(yè) |
| 文件大小： | 478K |
| 代理商： | IRFD320 |
IRFD320
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFD9113 | RES 137 OHM 1/4W 1% 1206 SMD |
| IRFD9113 | -0.6A and -0.7A, -80V and -100V, 1.2 and 1.6 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
| IRFDC20 | Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=0.32A) |
| IRFE210 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
| IRFE9210 | REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFD320PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 0.49 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFD320R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 500MA I(D) | TO-250VAR |
| IRFD321 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRFD321R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 500MA I(D) | TO-250VAR |
| IRFD322 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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