參數(shù)資料
型號: IRFD9113
廠商: Harris Corporation
英文描述: -0.6A and -0.7A, -80V and -100V, 1.2 and 1.6 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
中文描述: - 0.6A的和- 0.7A的,- 80V和- 100V的,1.2和1.6歐姆,P溝道功率MOSFET
文件頁數(shù): 5/6頁
文件大小: 218K
代理商: IRFD9113
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFDC20 Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=0.32A)
IRFE210 HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管)
IRFE9210 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)
IRFF024 60V, N-CHANNEL
IRFI064 TRANSISTOR N-CHANNEL(Vdss=60V, Rds(on)=0.017ohm, Id=45A*)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFD9120 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 1.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFD9120PBF 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 1.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFD9120R4602 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRFD9123 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 1.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFD9123PBF 功能描述:MOSFET 60 Volt 1.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube