參數(shù)資料
型號： IRFI1310G
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.04ohm, Id=22A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 100V的，的Rds（on）\u003d 0.04ohm，身份證\u003d 22A條）
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 361K
代理商： IRFI1310G
IRFI1310G
Notes:
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 13A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 25A
di/dt = 100A/μs
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
140
0.79
2.5
210
1.2
V
ns
μC
V
DD
= 25V, starting T
J
= 25°C, L = 1.0mH
R
G
= 25
, I
AS
= 13A. (See Figure 12)
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Source-Drain Ratings and Characteristics
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min. Typ. Max. Units
100
–––
–––
0.10
–––
–––
2.0
–––
12
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
13
–––
77
–––
82
–––
64
Conditions
V
GS
= 0V, ID = 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 13A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 50V, I
D
= 25A
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 25A
V
DS
= 80V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 50V
I
D
= 25A
R
G
= 9.1
R
D
= 2.0
,
See Fig. 10
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(ON)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
g
fs
Forward Transconductance
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
–––
0.04
4.0
–––
25
250
100
-100
110
18
42
–––
–––
–––
–––
V
V/°C
V
S
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
––– 2500
–––
–––
–––
–––
–––
630
130
pF
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
–––
–––
88
–––
–––
22
A
nH
L
D
Internal Drain Inductance
–––
4.5
–––
L
S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
I
GSS
ns
μA
nA
I
SD
≤
25A, di/dt
≤
170A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
175°C
t=60s, =60Hz
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PDF描述
IRFI1310N N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
IRFI3205 N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
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IRFI3710 100V,32A,N-Channel HEXFET Power MOSFET(100V,32A,N溝道 HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
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IRFI1404 制造商:International Rectifier 功能描述:Electronic Component
IRFI260 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 45A 3PIN TO-259AA - Bulk
IRFI2807 功能描述:MOSFET N-CH 75V 40A TO220FP RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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