參數(shù)資料
型號: IRFI1310G
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.04ohm, Id=22A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 100V的,的Rds(on)\u003d 0.04ohm,身份證\u003d 22A條)
文件頁數(shù): 8/8頁
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代理商: IRFI1310G
IRFI1310G
Package Outline
TO-220 Full-Pak
Part Marking Information
TO-220 Full-Pak
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10111
IR FAR EAST:
K&H Bldg., 2F, 3-30-4 Nishi-Ikeburo 3-Chome, Toshima-Ki, Tokyo 171 Tel: (03)3983 0641
IR
SOUTHEAST ASIA:
315 Outram Road, #10-02 Tan Boon Liat Building, 0316 Tel: 65 221 8371
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IRFI3710 100V,32A,N-Channel HEXFET Power MOSFET(100V,32A,N溝道 HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFI1310N 功能描述:MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFI1310NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 22A 36mOhm 80nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFI1404 制造商:International Rectifier 功能描述:Electronic Component
IRFI260 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 45A 3PIN TO-259AA - Bulk
IRFI2807 功能描述:MOSFET N-CH 75V 40A TO220FP RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件