參數(shù)資料
型號： IRFI3205
廠商： International Rectifier
英文描述： N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： N溝道HEXFET功率MOSFET的（不適用溝道的HEXFET功率馬鞍山場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 6/8頁
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代理商： IRFI3205
IRFI3205
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
0
200
400
600
800
1000
1200
25
50
75
100
125
150
175
E
A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
V = 25V
I
TOP 24A
42A
BOTTOM 59A
D
V
DS
L
D.U.T.
V
DD
I
AS
t
p
0.01
R
G
+
-
t
p
V
DS
I
AS
V
DD
V
(BR)DSS
10 V
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFI360 TRANSISTOR N-CHANNEL(Vdss=400V, Rds(on)=0.20ohm, Id=25A)
IRFI3710 100V,32A,N-Channel HEXFET Power MOSFET(100V,32A,N溝道 HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
IRFI460 TRANSISTOR N-CHANNEL(Vdss=500V, Rds(on)=0.27ohm, Id=21A)
IRFI5210 -100V,-23A,P-Channel HEXFET Power MOSFET(-100V,-23A,P溝道HEXFET功率MOS場效應(yīng)管)
IRFI740GLC Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=5.7A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFI3205PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 56A 8mOhm 113.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFI3415 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-220AB
IRFI360 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 400V 25A 3PIN TO-259AA - Bulk
IRFI360D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-259VAR
IRFI360U 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-259VAR
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