參數(shù)資料
型號(hào)： IRFI3710
廠(chǎng)商： International Rectifier
英文描述： 100V,32A,N-Channel HEXFET Power MOSFET(100V,32A,N溝道 HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 100V的，32A條，N溝道HEXFET功率MOSFET（100V的，32A條，?溝道的HEXFET功率馬鞍山場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 145K
代理商： IRFI3710
IRFI3710
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0
40
Q , Total Gate Charge (nC)
80
120
160
200
V
G
V = 80V
V = 50V
V = 20V
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
I = 28A
1
10
100
1000
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
T = 25°C
V = 0V
GS
V , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
A
T = 175°C
1
10
100
1000
1
10
100
1000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
10μs
100μs
1ms
10ms
A
T = 25°C
T = 175°C
Single Pulse
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRFI4019HG-117P 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 150V 8.7A 5-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IRFI4024H-117P 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 55V 11A 5-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFI4110GPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 9999A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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