參數(shù)資料
型號： IRFI3710
廠商： International Rectifier
英文描述： 100V,32A,N-Channel HEXFET Power MOSFET(100V,32A,N溝道 HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 100V的，32A條，N溝道HEXFET功率MOSFET（100V的，32A條，?溝道的HEXFET功率馬鞍山場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 6/8頁
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代理商： IRFI3710
IRFI3710
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
0
200
400
600
800
1000
1200
25
50
75
100
125
150
175
E
A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
I
TOP 11A
20A
BOTTOM 28A
V = 25V
D
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRFI4019HG-117P 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 150V 8.7A 5-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFI4020H-117P 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 200V 9.1A 5-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFI4024H-117P 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 55V 11A 5-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFI4110GPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 9999A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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