參數(shù)資料
型號： IRFIB5N65
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=5.1A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d?650V時，RDS（on）的最大值\u003d 0.93ohm，身份證\u003d 5.1A）
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 103K
代理商： IRFIB5N65
IRFIB5N65A
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
3.9
–––
–––
––– 48 I
D
= 5.2A
–––
–––
12
–––
–––
19
–––
14
–––
–––
20
–––
–––
34
–––
–––
18
–––
–––
1417
–––
–––
177
–––
–––
7.0
–––
–––
1912
–––
–––
48
–––
–––
84
–––
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 3.1A
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Avalanche Characteristics
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
S
nC
V
DS
= 400V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 325V
I
D
= 5.2A
R
G
= 9.1
R
D
= 62
,See Fig. 10
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 520V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 520V
pF
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
325
5.2
6
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Thermal Resistance
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 5.2A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 5.2A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
–––
493
2.1
1.5
739
3.2
V
ns
μC
Diode Characteristics
5.2
21
A
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
2.1
65
Units
R
θ
JC
Junction-to-Case
R
θ
JA
Junction-to-Ambient
°C/W
Parameter
Min. Typ. Max. Units
650
–––
–––
0.67
–––
–––
2.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 3.1.A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 650V, V
GS
= 0V
V
DS
= 520V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 30V
V
GS
= -30V
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
–––
0.93
4.0
25
250
100
-100
V
V/°C
V
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
nA
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
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