參數(shù)資料
型號(hào)： IRFIB7N50A
廠商： International Rectifier
英文描述： SMPS MOSFET(開關(guān)模式電源MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： MOSFET的開關(guān)電源（開關(guān)模式電源馬鞍山場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 96K
代理商： IRFIB7N50A
IRFIB7N50A
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
6.1
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
14
–––
35
–––
32
–––
28
–––
1423 –––
–––
208
–––
8.1
–––
2000 –––
–––
55
–––
97
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 6.6A
I
D
= 11A
V
DS
= 400V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 250V
I
D
= 11A
R
G
= 9.1
R
D
= 22
,See Fig. 10
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 400V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 400V
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Avalanche Characteristics
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
52
13
18
–––
–––
–––
–––
S
nC
–––
–––
pF
–––
–––
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
275
11
6.0
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Thermal Resistance
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 11A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 11A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
510
3.4
1.5
770
5.1
V
ns
μC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Diode Characteristics
6.6
44
A
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
2.1
65
Units
R
θ
JC
Junction-to-Case
R
θ
JA
Junction-to-Ambient
°C/W
Parameter
Min. Typ. Max. Units
500
–––
–––
0.61
–––
–––
2.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 4.0A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 500V, V
GS
= 0V
V
DS
= 400V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 30V
V
GS
= -30V
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
–––
0.52
4.0
25
250
100
-100
V
V/°C
V
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
nA
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
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