參數(shù)資料
型號(hào)： IRFL014N
廠商： International Rectifier
英文描述： 55V,1.9A, N-Channel HEXFET Power MOSFET(55V,1.9A,N溝道 HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 55V的，1.9A，N溝道HEXFET功率MOSFET（55V的，1.9A，?溝道的HEXFET功率馬鞍山場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
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代理商： IRFL014N
IRFL014N
www.irf.com
5
+
-
V
DS
10V
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
V
DD
R
G
D.U.T.
10V
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 9a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 9b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
0.1
0.00001
1
10
100
1000
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
A
T
t
P
t
2
1
t
DM
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2
2. Peak T = P x Z thJA
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFL1006 N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRFN350 POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=0.315ohm, Id=14A)
IRFN3710 TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.028ohm, Id=45A)
IRFN440 POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.0A)
IRFN450 POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.415ohm, Id=12A)
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參數(shù)描述
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IRFL014NTRPBF-CUT TAPE 制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 55 V 2.1 W 7 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOT-223
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