參數(shù)資料
型號(hào)： IRFL014N
廠商： International Rectifier
英文描述： 55V,1.9A, N-Channel HEXFET Power MOSFET(55V,1.9A,N溝道 HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 55V的，1.9A，N溝道HEXFET功率MOSFET（55V的，1.9A，?溝道的HEXFET功率馬鞍山場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 144K
代理商： IRFL014N
IRFL014N
6
www.irf.com
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
0
20
40
60
80
100
120
25
50
75
100
125
150
E
A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
V = 25V
I
TOP 1.5A
2.7A
BOTTOM 3.4A
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFL1006 N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
IRFN350 POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=0.315ohm, Id=14A)
IRFN3710 TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.028ohm, Id=45A)
IRFN440 POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.0A)
IRFN450 POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.415ohm, Id=12A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFL014NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 2.7A 4PIN SOT-223 - Rail/Tube
IRFL014NPBF 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 160mOhms 7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFL014NTR 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 55V, 1.9A, 160 mOhm, 7 nC Qg, SOT-223
IRFL014NTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 1.9A 160mOhm 7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFL014NTRPBF-CUT TAPE 制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 55 V 2.1 W 7 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOT-223
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