參數(shù)資料
型號： IRFP246
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 15A and 14A, 275V and 250V, 0.28 and 0.34 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
中文描述： 15 A, 275 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
文件頁數(shù)： 6/7頁
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代理商： IRFP246
5-6
FIGURE 12. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT
FIGURE 13. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
FIGURE 14. GATE TO SOURCE VOLTAGE vs GATE CHARGE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
5
10
15
20
0
25
15
12
9
0
6
g
f
,
PULSE DURATION = 80
μ
s
3
V
DS
≥
50V
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
I
S
,
V
SD
, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
100
10
1
0.1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
Q
g(TOT)
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
12
24
36
48
0
60
4
20
8
V
G
,
16
V
DS
= 200V
I
D
= 15A
V
DS
= 125V
V
DS
= 50V
12
0
IRFP244, IRFP245, IRFP246, IRFP247
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFP247 15A and 14A, 275V and 250V, 0.28 and 0.34 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFP250 33A, 200V, 0.085 Ohm,N-Channel PowerMOSFET(33A, 200V, 0.085 Ohm,N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管)
IRFP254 Standard Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode
IRFP254 Power MOSFET(Vdss = 250 V, Rds(on)=0.14ohm, Id=23A)
IRFP264 N-Channel Enhancement Mode Standard Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓250V,導(dǎo)通電阻0.075Ω的N溝道增強(qiáng)型標(biāo)準(zhǔn)功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFP247 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:15A and 14A, 275V and 250V, 0.28 and 0.34 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFP250 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 30 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP250_R4941 功能描述:MOSFET TO-247 N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP250A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET
IRFP250B 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
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