參數(shù)資料
型號(hào)： IRFP254
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss = 250 V, Rds(on)=0.14ohm, Id=23A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 250伏，的Rds（on）\u003d 0.14ohm，身份證\u003d 23A條）
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 46K
代理商： IRFP254
2 - 2
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 14 A, pulse test
11
19
S
C
iss
C
oss
C
rss
2990
420
150
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
29
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 23 A
R
G
= 6.2
,
(External)
130
110
98
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
106
16
41
140
24
71
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 200 V, I
D
= 23 A
R
thJC
R
thCK
0.65
K/W
K/W
0.24
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
23
A
I
SM
Repetitive; pulse width limited by T
JM
92
A
V
SD
I
= I
, V
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
1.8
V
t
rr
I
F
= I
S
, -di/dt = 100 A/
μ
s, V
R
= 100 V
370
ns
IRFP 254
Dim.
Millimeter
Min.
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
Inches
Min.
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205 0.225
.780
Max.
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
Max.
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
P
Q
R
S
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
.800
.177
.144
3.55
5.89
4.32
6.15 BSC
.140
0.232 0.252
.170
242 BSC
.216
TO-247 AD Outline
Terminals: 1 - Gate
2 - Drain
Tab - Drain
3 - Source
1 2 3
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFP264 N-Channel Enhancement Mode Standard Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓250V,導(dǎo)通電阻0.075Ω的N溝道增強(qiáng)型標(biāo)準(zhǔn)功率MOSFET)
IRFP340 11A, 400V, 0.550 Ohm,N-Channel PowerMOSFET(11A, 400V, 0.550 Ohm,N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRFP360 N-Channel EnhancementMode MegaMOSFET(最大漏源擊穿電壓400V,導(dǎo)通電阻0.20Ω的N溝道增強(qiáng)型MegaMOSFET)
IRFP440 8.8A, 500V, 0.850 Ohm, N-Channel Power MOSFET(8.8A, 500V, 0.850 Ω, N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRFP450 14A, 500V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFET(14A, 500V, 0.400Ω, N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFP254A 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述: GYDQFHG 3RZHU 026)(7
IRFP254B 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
IRFP254B_FP001 功能描述:MOSFET 250V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP254BFP001 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
IRFP254N 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 23 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*