參數(shù)資料
型號(hào)： IRFR024N
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=17A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 55V的，的Rds（on）\u003d 0.075ohm，身份證\u003d 17A條）
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
文件大?。?/td> 178K
代理商： IRFR024N
IRFR/U024N
4
www.irf.com
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
0
100
200
300
400
500
600
700
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0
4
Q , Total Gate Charge (nC)
8
12
16
20
V
G
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
V = 44V
V = 28V
I = 10A
1
10
100
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
T = 25°C
V = 0V
V , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
A
T = 175°C
1
10
100
1000
1
10
100
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
10μs
100μs
1ms
10ms
A
T = 25°C
T = 175°C
Single Pulse
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFU024N Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=17A)
IRFRU1205 Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.027ohm, Id=44A)
IRFU1205 Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.027ohm, Id=44A)
IRFR1205 Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.027ohm, Id=44A)
IRFRU4105 Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.045ohm, Id=27A)
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參數(shù)描述
IRFR024NPBF 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 75mOhms 13.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR024NTR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRFR024NTRL 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRFR024NTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR024NTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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